注意：沟道夹断不同于不存在沟道！耗尽区将完全沟道夹断,导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多，使Id增大的效应。沟道长度调制效应沟道长度调制效应是指MOS晶体管中，栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动。

1、电场效应的原理是什么?

现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,场效应管与晶体管不同,它是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小,其结构简图如图Ca.
场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个PN结,在零偏压的状态下,它是导通的,

其漏极电流将变小,(如图C1b),反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道夹断,此时,场效应管进入截止状态如图Cc,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vpo表示,它与栅极电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为VpoVps |Vgs|,这里|Vgs|是Vgs的绝对值.
在制造场效应管时,如果在栅极材料加入之前,在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话,

2、关于在绝缘栅型场效应管中N沟道增强型MOS场效应管问题?

因为在沟道夹断以后，当UDS逐渐增大时，所增加的电压将主要降落在夹断区（使夹断区有一定的扩展），而剩余的沟道尺寸基本上不随UDS的增大而变化，所以通过剩余沟道的电流也就是输出电流ID基本上不变。注意：沟道夹断不同于不存在沟道！详见“”中的有关说明。

3、为什么mosfet会在漏极夹断??机制是怎样的??

以NMOS场效应管为例，开始没有导电沟道，Vgs增大，就出现反型层，出现导电沟道，当Vds0时，没有电流。当Vds慢慢增大，会使得靠近漏极的电势差减小。VgsVds<VT,也就是Vgd<VT,既然这个电压小于导通电压，当然要夹断了哦。不足以生成反型层啊。

4、MOS管的夹断区和饱和区的区别是什么

一个是截止区，一个是导通区。MOS管的夹断区和饱和区的区别是：1、Uds（漏源电压）和Id（漏极电流）的关系不同：夹断区的Uds增大到一定数值，Id急剧增大；当Uds增大到出现预夹断后，Id几乎不随Uds增大而增大。2、Id的取值不同：夹断区，当导电沟道完全被夹断时，Id≈0；饱和区Id的数值取决于Ugs（栅源电压）的大小。

饱和区也称为放大区，MOS管用作放大元件时，都工作在这一区。场效应晶体管简称场效应管。分为两种类型：结型场效应管和金属氧化物半导体场效应管简称MOS管）。扩展资料场效应管的作用：1）因为场效应管放大器的输入阻抗很高，所以耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。所以常场效应管用于放大电路。2）因为场效应管的输入阻抗很高，所谓非常适合用作放大器输入级作阻抗变换。

5、N沟道增强型场效应管的工作原理

原理：两种沟道都是利用多数载流子的定向移动来导电，N沟道的多数载流子是电子，p沟道是空穴，当沟道中有电场时，就会有大量载流子，形成通路，，电场消失，沟道消失。增强型场效应管是高电平导通（高电平时形成沟道），耗尽型是低电平导通。场效应管(FET)是场效应晶体管(fieldeffecttransistor)的简称，由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，也称为单极性场效应管，是一种常见的利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种电压控制性半导体器件，场效应管不但具有双极性晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点，而且输入回路的内阻高达107~1012Ω，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，且比后者耗电省，这些优点使之从20世纪60年代诞生起就广泛地应用于各种电子电路之中。

6、沟道长度调制效应

沟道长度调制效应是指MOS晶体管中，栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多，使Id增大的效应。以在加栅压Vgs且形成导电沟道的情况下的NMOSFET为例。若漏源电压Vds增大至不可忽略，沟道电压降增大直至VgdVT时，由于栅漏之间电压差降低，漏端附近反型层消失，称为沟道夹断。

7、耗尽形N沟道mos夹断

N沟道MOS管也就是说S、D为N 区，其沟道为N型，即为电子。N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型，作为N沟道耗尽型MOS管，在制造过程中，S、D之间的衬底表面形成了导电沟道，其原因就是往沟道区域注入了磷离子或砷离子，一般来说是磷离子，砷离子常被用来作为S、D区域的注入。